信息存儲應用技術
  • 磁存儲裝置的制作方法
    本實用新型享有以日本專利申請2018-51178號(申請日:2018年3月19日)作為基礎實用新型的優先權。本實用新型通過參考該基礎實用新型而包含基礎實用新型的全部內容。實施方式涉及一種磁存儲裝置。作為磁存儲裝置,已知使用具有多個磁區的磁性細線的磁存儲裝置。實用新型內容實施方式提供...
  • 一種智能的盲人語音點播設備的制作方法
    本實用新型涉及語音,具體為一種智能的盲人語音點播設備。前社會中各種點播設備以普遍進入人們的生活,人們對于點播設備的應用也日趨頻繁,而普通的點播設備對于盲人來說,使用起來便不是那么方便了,市場上關于智能語音盲人點播設備的銷售也是少之又少,對于社會發展的大趨勢來看,點播設備的普及將是必...
  • 一種北斗車載定位終端SD卡保護結構的制作方法
    本實用新型涉及北斗車載定位終端,具體為一種北斗車載定位終端SD卡保護結構。很多移動電子設備都依靠存儲卡來記錄存儲數據,然后更換存儲卡,記錄更多數據,比如說數碼相機、移動攝像。針對應用于采用SD卡作為存儲介質的車載GPS監控錄像機,用于保護錄像機的資料安全,杜絕人為破壞錄像資料安全的...
  • 電子設備組件及電子設備的制作方法
    本實用新型涉及電子設備領域,尤其涉及一種電子設備組件及電子設備。在存儲產品的設計時,由于需要開蓋或者將硬盤內框拉出后才能對硬盤進行熱維護。但是由于打開上蓋或拉出硬盤內框后,改變了系統的流場,影響了系統散熱要求,使得部分區域的硬盤不能受到系統內風扇出來的風,導致該部分區域的硬盤不能滿足系統的...
  • 一種帶有自鎖結構的固態硬盤的制作方法
    本實用新型涉及固體硬盤領域,特別涉及一種帶有自鎖結構的固態硬盤。傳統的固態硬盤需要靠雙面膠來固定馬甲殼與線路板之間的穩定性。傳統固態硬盤使用插拔過程中,有時硬盤發熱會使得雙面膠的粘性逐漸降低,慢慢會導致線路板脫落,使得硬盤使用壽命降低。發明內容本實用新型所要解決的技術問題是提供一種帶有自鎖...
  • 一種具有減震功能的計算機硬盤防護裝置的制作方法
    本實用新型涉及計算機,具體為一種具有減震功能的計算機硬盤防護裝置。計算機俗稱電腦,是一種用于高速計算的電子計算機器,可以進行數值計算,又可以進行邏輯計算,還具有存儲記憶功能,而硬盤則是計算機內的主要的存儲媒介,是計算機所有零配件中極為重要的一種,所以一般情況下需要對計算機硬盤進行防...
  • 一種用于光子存儲服務器的盤匣裝置的制作方法
    本實用新型涉及大容量光存儲設備領域,尤其涉及一種用于光子存儲服務器的盤匣裝置。光存儲是一種利用光盤作為存儲介質的海量數據存儲手段,具有能耗低、可移動、數據保存周期長等優點,非常適合存儲訪問頻率小、需長期保存的數據。在現有的存儲技術中,磁存儲與電存儲應用較為廣泛,磁存儲主要是磁盤、磁帶存儲,...
  • 低電壓高西格瑪多端口存儲器控制的制作方法
    本申請要求2016年11月15日提交的題為“LOWVOLTAGEHIGHSIGMAMULTI-PORTMEMORYCONTROL”的美國專利申請No.15/352,197的權益,該美國專利申請以其整體通過引用明確地并入本文。本公開一般地涉及存儲器電路系統,并且更特別地,涉及存儲...
  • 用于存儲器對準的設備及方法與流程
    本發明大體上涉及半導體存儲器及方法,且更特定來說,涉及與存儲器對準有關的設備及方法。存儲器裝置通常提被供作為計算機或其它電子系統中的內部半導體集成電路。存在許多不同類型的存儲器,其包含易失性及非易失性存儲器。易失性存儲器可能需要電力來維持其數據(例如,主機數據、錯誤數據等)且包含隨機存取存...
  • 存儲器管理的制作方法
    本發明大體上涉及存儲器裝置,且更具體來說,涉及用于存儲器管理的設備及方法。存儲器裝置通常被提供為計算機或其它電子裝置中的內部、半導體、集成電路。存在許多不同類型的存儲器,包含易失性及非易失性存儲器。易失性存儲器可需要電力以維持其數據,且包含隨機存取存儲器(RAM)、動態隨機存取存儲器(DR...
  • 用于在特技播放回放期間提供音頻內容的系統和方法與流程
    本發明一般涉及自適應流傳輸,更具體地說,涉及可在回放的特技播放模式期間提供音頻內容的流傳輸系統。術語流傳輸媒體描述了在回放設備上的媒體回放,其中媒體存儲在服務器上并且在回放期間通過網絡連續地發送到回放設備。通常,回放設備在回放期間的任何給定時間將足夠數量的媒體存儲在緩沖器中,以防止由于回放...
  • 一種對MTJ電阻進行篩選的電路的制作方法
    本發明屬于半導體芯片存儲器領域中的存儲器電路設計,尤其涉及一種對MTJ電阻進行篩選的電路。磁性隨機存儲器(MRAM)是一種新興的非揮發性存儲技術。它擁有高速的讀寫速度和高集成度,且可以被無限次的重復寫入。MRAM可以像SRAM/DRAM一樣快速隨機讀寫,還可以像Flash閃存一樣在斷電后永...
  • 半導體器件及包括其的半導體系統的制作方法
    本申請要求于2017年12月19日提交的申請號為10-2017-0175331的韓國專利申請的優先權,其全部內容通過引用合并于此。本公開的實施例涉及一種執行錯誤清洗(errorscrub)操作的半導體器件以及包括該半導體器件的電子系統。半導體可以根據各種方案來設計,以在每個時鐘周...
  • 存儲器及其獲取方法、失效定位方法與流程
    本發明涉及半導體器件及其制造領域,特別涉及一種存儲器及其獲取方法、失效定位方法。隨著集成電路和半導體技術的不斷發展,存儲器得到了廣泛的應用,而存儲器芯片的測試以及失效定位,是提高存儲器芯片良率及性能的重要手段。在存儲器芯片的測試中,位線漏電(BitLineleakage)測試項目用于測...
  • 一種相變存儲器的故障診斷方法與流程
    本發明涉及微電子,特別是涉及一種相變存儲器的故障診斷方法。相變存儲器是一種新型的非易失性半導體存儲器,它以硫系化合物材料為存儲介質,利用加工到納米尺寸的相變材料在晶態(材料呈低阻狀態)與非晶態(材料呈高阻狀態)時不同的電阻狀態來實現數據的存儲。隨著工藝特征尺寸的不斷縮小和容量的不斷...
  • 移位寄存器單元及其驅動方法、柵極驅動電路及顯示裝置與流程
    本公開的實施例涉及一種移位寄存器單元及其驅動方法、柵極驅動電路及顯示裝置。在顯示,例如液晶顯示面板或有機發光二極管(OrganicLightEmittingDiode,OLED)顯示面板的像素陣列通常包括多行柵線和與之交錯的多列數據線。對柵線的驅動可以通過柵極驅動電路實現。柵...
  • 半導體裝置的制作方法
    本申請要求于2017年12月19日向韓國知識產權局提交的申請號為10-2017-0174974的韓國專利申請的優先權,其全部內容通過引用合并于此。各種實施例總體而言涉及半導體裝置,更具體地涉及修復半導體裝置中的故障組件。半導體裝置能夠通過測試其整個存儲單元陣列來檢測故障存儲單元(或...
  • 半導體存儲器裝置及其操作方法與流程
    本申請要求于2017年12月19日提交的申請號為10-2017-0175203的韓國專利申請的優先權,該韓國專利申請通過引用整體并入本文。本公開的各個實施例總體涉及一種電子裝置。特別地,實施例涉及一種半導體存儲器裝置以及該半導體存儲器裝置的操作方法。通常,存儲器裝置可以具有二維結構...
  • 一種存儲單元漏電處理方法、裝置及存儲器與流程
    本發明實施例涉及存儲,具體涉及一種存儲單元漏電處理方法、裝置及存儲器。非易失閃存介質(norflash/nandflash)是一種很常見的存儲芯片,兼有隨機存儲器(RandomAccessMemory,RAM)和只讀存儲器(Read-OnlyMemory,ROM)的優點,...
  • 數據讀取方法及裝置、存儲器及存儲介質與流程
    本發明涉及存儲,尤其涉及一種數據讀取方法及裝置、存儲器及存儲介質。存儲器為存儲數據的器件。所述存儲器包括存儲陣列;所述存儲陣列可為二維(2D)存儲陣列或三維(3D)存儲陣列。所述存儲陣列由存儲單元構成。閾值電壓存儲單元的可調節電壓在已知電壓范圍內。在向所述存儲單元寫入數據時,通常根...
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