電氣元件制品的制造及其應用技術
  • 氣密封裝體的制作方法
    本發明涉及一種氣密封裝體,具體而言,涉及一種封裝體基體與玻璃蓋經由密封材料層進行氣密密封而成的氣密封裝體。氣密封裝體一般具備封裝體基體、具有透光性的玻璃蓋、以及收納于它們的內部的內部元件。安裝于氣密封裝體的內部的深紫外LED元件等內部元件有可能因從周圍環境浸入的水分而劣化。一直以來,為了將...
  • 儲存庫的制作方法
    本發明涉及儲存庫。為了保管多個收容分劃板或半導體晶圓等的容器,儲存庫設置在半導體工廠等地方。儲存庫具有劃分內外的壁部和配置在壁部的內側、保管容器的保管區域。這樣的儲存庫根據保管的容器(或容器的收容物)不同而要求保管區域的清潔度在ISO標準4級以上。因此,我們知道將外部的清潔空氣導入到保管區...
  • 基板收容容器的制作方法
    本發明涉及一種基板收容容器。作為收容基板的基板收容容器,例如有專利文獻1所揭示的收容半導體晶圓(wafer)的容器。專利文獻1所揭示的基板收容容器,在容器本體上具備筒狀的基板收容部。在基板收容部的最上層和最下層設置有緩沖材料(cushionmaterial)等。使晶圓(基板)和層間紙(合...
  • 用于深溝槽內的低溫選擇性外延的方法及設備與流程
    本公開內容的實施方式一般地涉及半導體制造工藝領域,尤其是,涉及用于形成半導體器件的沉積含硅膜的群集工具和方法。低溫外延具有具非常高程度摻雜劑活化的產生外延膜的明顯優點。具有高度摻雜劑活化的外延膜可以對于CMOS制造工藝中的接觸應用是有用的,其中熱預算需要在特定溫度或低于特定溫度,以在中段(...
  • 在基板邊緣上的等離子體密度控制的制作方法
    本公開的實現整體涉及用于一種減少等離子體處理腔室中的基板上的顆粒污染的設備。等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)工藝是將電磁能施加到至少一種前驅物氣體或蒸氣上以將前驅物轉化為反應性等離子體的化學工藝。使用PECVD有許多優點,包括但不限于降低形成膜所需的溫度、提高膜的形成速率、增強形成的...
  • 用于檢測缺陷發生和位置的移動檢查系統的制作方法
    本發明涉及半導體制造控制領域。更具體地,本發明涉及用于檢查半導體制造工藝工具的系統,以及具體在所述工藝工具中檢測缺陷的發生和位置。在現代時代,集成電路(IC)制造正在經歷持續縮小的趨勢。由于IC的復雜性和制造工藝的精度要求,嚴格的工藝控制的重要性不斷增長。目前,在VLSI裝置的制造和...
  • 固化性樹脂膜及第一保護膜形成用片的制作方法
    本發明涉及固化性樹脂膜及第一保護膜形成用片。本申請基于2017年2月9日在日本提出申請的日本特愿2017-022165號要求優先權,并將其內容引用于此。在以往,在將用于MPU或門陣列等的多插針LSI封裝安裝在印刷布線基板上時,作為半導體芯片,使用在其焊接焊盤部上形成有由共晶焊料、高溫焊料、...
  • 半導體芯片的安裝裝置及安裝方法與流程
    本申請涉及一種將半導體芯片接合(bonding)而安裝于基板或其他半導體芯片之上的安裝裝置及安裝方法。以前,將半導體芯片接合而安裝于基板的上表面或其他半導體芯片的上表面(以下統稱為“安裝面”)的安裝裝置已廣為人知。在半導體芯片的底面設置著包含熱硬化性樹脂的粘接劑、或用以確保電性連接的被稱作...
  • 用于硬掩模應用的硼摻雜碳化鎢的制作方法
    本公開內容的實施例總體上涉及集成電路的制造。更具體地,本文所述的實施例提供在基板上沉積硬掩模膜的技術。相關技術的描述可靠地生產亞半微米和更小的特征是下一代半導體元件的超大規模集成電路(VLSI)和極大規模集成電路(ULSI)的關鍵技術挑戰之一。然而,隨著電路技術的極限的推進,VLSI和UL...
  • 襯底處理方法及襯底處理裝置與流程
    本發明涉及一種對半導體晶片、液晶顯示器用襯底、有機EL(Electroluminescence,電致發光)顯示裝置等FPD(FlatPanelDisplay,平板顯示器)用襯底、光顯示器用襯底、磁盤用襯底、磁光盤用襯底、光掩模(photomask)用襯底、太陽能電池用襯底等(以下簡稱為襯底)進...
  • 具有序列號的安全芯片的制作方法
    本發明涉及包括半導體芯片的電子器件。更具體地,本發明涉及包括半導體芯片的電子器件,該半導體芯片包括公共部分和形成唯一(unique)電路的唯一部分。本發明還涉及基于挑戰響應過程的用于在包括這些電子器件的多個遠程終端與主機系統之間進行認證的系統、用于該系統的遠程終端以及用于在該系統中進行認證的方法。...
  • 在等離子體反應器中用于可調節工件偏壓的系統的制作方法
    本公開的實施例大體涉及在等離子體反應器中用于可調節工件偏壓的系統。在蝕刻和化學氣相沉積(CVD)處理中通常將離子轟擊用作化學和物理處理的活化能量的來源,以處理半導體工件,例如晶片。現今,晶片偏壓技術使用射頻(RF)偏壓技術。這些RF技術一般使用單一頻率RF偏壓以加速離子植入晶片,而導致跨晶...
  • 遠程等離子體可流動CVD腔室的方法及設備與流程
    本文描述的實施總的來說涉及基板處理設備,且更具體地涉及改進的等離子體增強化學氣相沉積腔室。相關技術半導體處理涉及能夠使微型集成電路創建于基板上的許多不同的化學和物理工藝。通過化學氣相沉積、物理氣相沉積、外延生長等產生構成集成電路的材料層。使用光阻掩模和濕式蝕刻或干式蝕刻技術來圖案化某些材料...
  • 受補償的位置特定處理設備和方法與流程
    本申請涉及并要求于2017年1月9日提交的美國臨時專利申請第62/444,188號的優先權,其全部內容通過引用被結合在本文中。發明的領域總體上涉及材料處理和電子設備制造的領域,更具體地但非排他地,涉及各種工件屬性的空間處理。相關技術的描述在包括用于射頻(RF)濾波器應用的聲表面波(...
  • 扳機開關的制作方法
    本公開涉及扳機開關。在專利文獻1所公開的扳機開關中,具備:外殼;扳機,其設置在外殼的外部并且能夠相對于外殼接近和分開地連結于外殼;觸點機構部,其設置在外殼的內部,并且與扳機相對于外殼的接近動作和離開動作連動地動作;一對螺釘式的電源連接端子,其與觸點機構部電連接。在所述扳機開關中,各電源連接...
  • 中壓開關設備的制作方法
    本發明涉及一種用于中壓電氣系統的開關設備。為了本申請的目的,術語“中壓”(MV)涉及在電力配送水平上的操作電壓,其高于1kVAC和1.5kVDC,直到幾十kV,例如高達72kVAC和100kVDC。中壓電氣系統通常采用兩種不同類型的開關設備。第一種類型的開關設備包括例如斷路器或隔離...
  • 斷電電路的電源電路的制作方法
    本發明涉及一種斷電電路的電源電路。用于斷開交流電(AC)的電路在本領域中是已知的。一種已知的解決方案是眾所周知的熔斷器,如果施加的電流在一段時間內大于額定值,即過載電流,則所述熔斷器斷開電流。由于過載電流導致所述熔斷器的金屬絲或金屬條熔化,所施加的電流被斷開。本領域已知的另一種解決方案是斷...
  • 鋰離子電容器的制作方法
    本發明涉及一種使用石墨烯與碳納米管的復合體的鋰離子電容器。鋰離子電容器(LIC:LithiumIonCapacitor)作為同時具有電雙層電容器(EDLC:ElectricDouble-LayerCapacitor)以及鋰離子電池(LIB:LithiumIonBattery)的...
  • 自衰減MLCC陣列的制作方法
    本申請要求于2017年1月25日提交的待審美國臨時專利申請NO.62/450,173的優先權,所述美國臨時專利申請通過引用合并于此。本發明涉及一種安裝在基板上的多層陶瓷電容器(MLCC),其中,MLCC提供自衰減(self-damping)特性。更具體地,本發明涉及一種電路中的MLCC或M...
  • 極性切換磁二極管的制作方法
    本發明的領域是電磁裝置,即極性切換電磁體和包含該極性切換電磁體的馬達。背景說明包括可能用于理解本發明的信息。本文中提供的任何信息并不被認為是現有技術或與當前主張的發明相關,或者被明確或隱含地引用的任何出版物并不被認為是現有技術。以明確且單獨地表明各個出版物或專利申請通過引用而結合的...
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